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    介紹半導體測量的目的和分類

    2021-01-13 14:00:36

    介紹半導體測量的目的和分類

           半導體測量主要是對工藝過程中半導體體內、表面和附加其上的介質膜、金屬膜、多晶硅等結構的特性進行物理、化學和電學等性質的測定。其中許多檢測方法是半導體工藝有的。

           半導體測量的分類:

           按照所測定的特性,這一類半導體測量可分為四個方面。

           (1)幾何尺寸與表面形貌的檢測:如半導體晶片、外延層、介質膜、金屬膜,以及多晶硅膜等的厚度,雜質擴散層和離子注入層以及腐蝕溝槽等的深度,晶體管的基區寬度,半導體晶片的直徑、平整度、光潔度、表面污染、傷痕等,刻蝕圖形的線條長、寬、直徑間距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。


    半導體測量


           (2)成分結構分析:如襯底、外延層、擴散層和離子注入層的摻雜濃度及其縱向和平面的分布、原始晶片中缺陷的形態、密度和分布,單晶硅中的氧、碳以及各重金屬的含量,在經過各工藝步驟前后半導體內的缺陷和雜質的分布演變,介質膜的基本成分、含雜量和分布、致密度、針孔密度和分布、金屬膜的成分,各步工藝前后的表面吸附和沾污等。

           (3)電學特性:如襯底材料的導電類型、電阻率(包括平面分布和一批晶片之間的離散度)、少數載流子壽命、擴散或離子注入層的導電類型與薄層電阻、介質層的擊穿電壓、金屬-氧化物-半導體結構的電容特性、氧化層中的電荷和界面態、金屬膜的薄層電阻、通過氧化層臺階的金屬條電阻、金屬-半導體接觸特性和歐姆接觸電阻、金屬-氧化物-半導體晶體管特性等。

          (4)裝配和封裝的工藝檢測:如鍵合強度和密封性能及其失效率等。

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